隨著對供電質(zhì)量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要，低壓無功補償柜的使用量也在快速增長，各種不同無功補償裝置也不斷研發(fā)推出應(yīng)用。根據(jù)補償電機的不同，選擇的投切方式也是不同，常見的有接觸器投切、可控硅投切、以及復(fù)合開關(guān)投切等方式。

一、投切方式

1、機械式接觸器投切電容裝置

接觸器投切過程中，電容器的初始電壓為零，觸點閉合瞬間，絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時可能處在高峰值，極少為零，因而產(chǎn)生非常大的電流，也就是常說的合閘涌流。實驗表明合閘涌流嚴重時可達電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命，而且對電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設(shè)備的正常工作。因此，后來采用串接電抗器和加入限流電阻來抑制涌流，這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的20倍以內(nèi)，但從長期運行情況來看，其故障率仍然非常高，維修費用較高。

優(yōu)點：總的實踐應(yīng)用反映，其價格低，初期投入成本上升少，無漏電。

缺點：涌流大、壽命短、故障多、維修費用高。 

2、可控硅投切電容器裝置

可控硅投切電容器是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導(dǎo)通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導(dǎo)通運行時，可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降。通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W，而且都變成熱量使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在，未接電容時，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓。

優(yōu)點：是無涌流、無觸點、使用壽命長、維修少、投切速度快在5ms內(nèi)。

缺點：價格高為接觸器的3倍。 

3、復(fù)合開關(guān)投切電容裝置

復(fù)合開關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器，然后再由磁保持繼電器觸點并聯(lián)閉合，可控硅退出，電容器在磁保持繼電器觸點閉合下運行。因而實現(xiàn)了投入無涌流運行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本，通常選用兩只小功率，低耐壓可控硅串聯(lián)使用，利用可控硅20ms內(nèi)電流可過載10倍額定電流的特性過零投入，再用繼電器閉合運行。而磁保持繼電器觸點偏小且額定機械壽命一般為5萬次，從目前投入市場使用情況看，可控硅時有擊穿，磁保持繼電器也有卡住不動作現(xiàn)象，工作不夠穩(wěn)定。

優(yōu)點：是無涌流、不發(fā)熱、節(jié)能。

缺點：是價格高為接觸器的5倍、壽命短、故障較多、有漏電流、投切速度0.5s左右。 

二、應(yīng)用范圍

1、用于無功量比較穩(wěn)定，不需要頻繁投切電容補償?shù)挠脩?，可選用帶限流電阻的接觸器投切電容裝置，這種裝置比較經(jīng)濟、價格低。由于投切次數(shù)少，相應(yīng)壽命就夠長了。 

2、對于需要快速頻繁投切電容補償?shù)挠脩?，比如電焊、電梯等設(shè)備，應(yīng)選用無觸點可控硅投切電容裝置，才能達到應(yīng)有的補償效果。 

3、對于其他一般工廠、小區(qū)和普通設(shè)備，無功量變化時間大于30s的地區(qū)，則考慮選用對電網(wǎng)無沖擊、節(jié)能、安全、經(jīng)濟、使用壽命長的無涌流電容投切器。

低壓無功補償裝置一般由刀開關(guān)、電流互感器、斷路器、交流接觸器、熱繼電器、補償電容、低壓避雷器等。經(jīng)過恰當設(shè)計的無功補償裝置，不但可以將三相的功率因數(shù)均補償至1，而且可以將三相間的不平衡有功電流調(diào)整至平衡。

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